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机译:GaN高电子迁移率晶体管中沟道温度的测量
Jungwoo Joh; Jesús A. Del Alamo; Uttiya Chowdhury; Tso-min Chou; Hua-quen Tserng; Life Fellow; Jose L. Jimenez;
机译:脉冲操作期间AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的纳米级应变测量
机译:基于外延横向过度的Ridge-Channel AlGaN / GaN常关高电子迁移率晶体管
机译:高电子迁移率晶体管AlGaN / GaN的温度估算
机译:选择性接触双沟道高电子迁移率场效应晶体管的制作与分析
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌是否可能源于沟道电子的能量弛豫?
机译:带有后栅的双通道高电子迁移率晶体管
机译:具有恢复接点的埋入通道常闭型GAN高电子迁移率晶体管(HEMT)
机译:具有相同的半导体结构和高电子迁移型晶体管器件
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